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Si2306BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.10
0.08
25 °C, unless otherwise noted
400
350
300
C iss
0.06
0.04
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
250
200
150
0.02
100
C rss
C oss
50
0.00
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
5
10
15
20
25
30
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
I D = 3.5 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 3.5 A
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.5
0.4
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 3.5 A
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.3
1
0.2
0.1
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73234
S-80642-Rev. B, 24-Mar-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
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